[서울타임즈뉴스 = 허성미 기자] SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 열린 메모리·스토리지 분야 행사에서 HBM을 비롯한 차세대 AI 메모리 기술을 공개했다. SK하이닉스는 지난 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘Future of Memory and Storage 2026(FMS 2026)’에 참가했다고 7일 밝혔다.

FMS 2026은 메모리와 스토리지 분야 주요 기업과 전문가들이 모여 최신 기술을 공유하는 행사다. 올해 행사에는 350명 이상의 AI 분야 전문가가 참여했고, 3일 동안 3500명 이상의 관람객이 전시장을 찾았다. AI 서비스 확산으로 데이터 처리량이 늘면서 이를 뒷받침할 메모리 기술에 대한 관심도 높아졌다.

SK하이닉스는 행사장에서 HBM을 포함한 고성능 AI 메모리와 서버용 낸드 제품, CXL 기반 메모리 확장 기술을 공개했다. AI 시스템이 처리해야 하는 데이터 규모가 커지는 상황에서 메모리 성능뿐 아니라 제품 간 연결 구조가 중요하다는 점을 강조했다.

첫날 기조연설에는 김천성 SK하이닉스 Solution개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당이 발표자로 나섰다. 두 사람은 ‘AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안’을 주제로 AI 환경 변화에 따른 메모리 구조의 변화를 설명했다. 발표의 중심에는 ‘계층형 메모리(Tiered Memory)’가 있었다. HBM처럼 빠른 데이터 처리가 필요한 메모리와 D램, 낸드, SSD 등 각각 특성이 다른 메모리를 역할에 맞게 연결해 시스템 효율을 높이는 방식이다.

SK하이닉스는 AI가 기존 학습 중심에서 대규모 추론과 AI 에이전트 영역으로 확대되면서 메모리 활용 방식도 달라지고 있다고 설명했다. 하나의 메모리 성능만 높이는 방식보다 각 메모리의 장점을 조합하는 구조가 필요하다는 의미다.

김 부문장은 “AI가 학습 중심에서 대규모 추론, 나아가 Agentic AI로 확대되면서 인프라 경쟁력은 개별 메모리 제품 성능만으로 결정하기 어렵다”며 “HBM, D램, 낸드, SSD 등 각 메모리 계층을 어떻게 배치하고 연결해 데이터 이동을 줄이느냐가 시스템 효율을 좌우하게 될 것”이라고 말했다.

강 담당은 SK하이닉스의 AI 메모리 제품군을 소개했다. 그는 “HBM부터 CXL 기반 메모리, eSSD까지 AI 인프라에 필요한 다양한 제품을 개발하고 있다”며 “고객 환경에 맞는 메모리 구조를 설계하고 최적화하는 역량을 강화하겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 행사 기간 공동 발표 2건을 포함해 총 12개의 기술 세션을 진행했다. AI 메모리 설계 방향과 차세대 제품 개발 현황, 관련 기술 적용 사례를 업계 관계자들과 공유했다. 마지막 날 열린 패널 토론에서는 임의철 SK하이닉스 Solution AT 담당이 ‘HBF로 메모리 성능 한계를 돌파하다’를 주제로 발표했다. 구글, 샌디스크 등 주요 기업 관계자들과 HBF 개발 방향과 활용 가능성을 논의했다. 

HBF는 TSV 기술을 활용해 대용량 저장장치의 특성과 높은 대역폭을 함께 구현하는 차세대 메모리 기술이다. 고속 처리가 필요한 HBM과 대용량 저장을 담당하는 SSD 사이에서 새로운 메모리 계층으로 활용될 가능성이 주목받고 있다.

임 담당은 “HBF는 AI 시스템 확장성과 운영 효율을 높일 수 있는 기술”이라며 “하드웨어와 소프트웨어를 함께 고려하는 코디자인 방식이 중요하다”고 설명했다. SK하이닉스 전시 부스에는 HBM, 서버 D램, 낸드, CXL 등 AI 시스템에 적용되는 주요 기술이 전시됐다. 파트너십존, 스마트 엣지, 차세대 기술, 기술 세션 공간으로 나눠 방문객들에게 제품과 기술 개발 현황을 소개했다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 FMS 2026을 통해 차세대 AI 메모리 아키텍처의 방향성을 제시하고, HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL에 이르기까지 AI 인프라 전 계층을 아우르는 SK하이닉스의 기술 역량을 업계에 알릴 수 있었다”며 “앞으로도 고객과 파트너들이 필요로 하는 최적의 AI 메모리 설루션을 선제적으로 개발하고 제공해 나가겠다”고 말했다.