[서울타임즈뉴스 = 허성미 기자] 삼성전자는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 차세대 메모리 기술과 AI 데이터센터용 제품군을 4일 공개했다. 이번 전시에서는 기존 제품의 성능 향상보다 AI 환경에 맞춘 메모리 구조 변화에 초점이 맞춰졌다.
가장 먼저 공개된 것은 'zHBM'이다. 현재 HBM이 AI 가속기 옆에 배치되는 방식이라면 zHBM은 메모리를 가속기 위에 직접 쌓는 구조를 적용했다. 메모리와 연산 장치 사이의 거리를 줄여 데이터 전송 시간을 단축하고 전력 소비를 낮추는 것이 목적이다. 생성형 AI 모델이 커질수록 데이터 이동량도 함께 늘어나는 만큼 메모리 배치 방식 자체를 바꾸는 접근이다.
삼성전자는 zHBM 기반 시스템이 차세대 HBM5보다 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 구현할 수 있다고 설명했다. 메모리와 가속기 사이에는 고객이 원하는 설계 블록(IP)을 적용할 수 있어 용량과 기능을 용도에 맞게 구성할 수 있도록 설계했다.
함께 공개한 'zNAND-O'는 V-NAND 기술에 TSV(실리콘 관통전극)를 적용해 여러 개의 낸드 칩을 하나의 패키지로 연결한 제품이다. 제한된 공간에서도 저장 용량을 늘릴 수 있고 데이터 접근 속도도 높일 수 있어 AI PC와 스마트폰, 산업용 장비 등 온디바이스 AI 기기를 겨냥했다.
10세대 'V10 BV-NAND'도 공개됐다. 400단 이상 적층 구조를 구현했다. 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 이전 세대보다 집적도를 약 58% 높였다. 읽기와 쓰기 성능, 입출력 속도도 함께 개선해 AI 데이터센터와 기업용 SSD 수요에 대응하도록 개발했다.
행사 첫날 기조연설에는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 연사로 나섰다. 두 사람은 생성형 AI 확산으로 반도체 경쟁의 기준이 연산 성능에서 데이터 처리 효율과 전력 관리까지 넓어지고 있다고 설명하며 차세대 메모리 기술 개발 방향을 소개했다.
전시장에는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 AI 데이터센터용 제품도 함께 전시됐다. HBM5는 방열 성능을 높인 새로운 열관리 기술을 적용했고 LPDDR5X-PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행하도록 설계해 데이터 이동을 줄였다. PM1763과 BM1773은 대용량 AI 학습 데이터를 안정적으로 처리하는 기업용 SSD 제품이다.
삼성전자는 메모리 기술뿐 아니라 시스템반도체와 파운드리, 첨단 패키징을 연계한 사업 역량도 함께 소개했다. AI 반도체를 설계부터 생산까지 하나의 공정 체계에서 지원할 수 있다는 점을 강조하며 고객 맞춤형 공급 경쟁력 확대에 무게를 실었다.
AI 데이터센터 구축이 늘어나면서 메모리의 역할도 달라지고 있다. 단순히 저장 용량을 늘리는 수준을 넘어 데이터 이동을 줄이고 전력 소모를 낮추는 기술이 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있다. 삼성전자가 이번 전시에서 공개한 기술 역시 이런 변화에 맞춰 개발 방향을 제시한 사례로 받아들여진다.
